Единый тарифно-квалификационный справочник работ и профессий рабочих (ЕТКС). Выпуск №20
Утвержден Постановлением Минтруда РФ от 21.01.2000 N 5
(в редакции Постановления Минтруда РФ от 12.09.2001 N 67)

Окрасчик приборов и деталей

§ 77. Оператор прецизионной резки 2-го разряда

Характеристика работ. Прецизионная резка заготовок и слитков полупроводниковых материалов на пластины с допуском по толщине +/- 30 мкм. Резка и распиловка кристаллов, гальки и блоков под заданным углом среза на распиловочных станках алмазной пилкой с допуском +/- 30 мин. Резка кристаллов площадью 100 кв. см на затравочные пластины с соблюдением заданного допуска. Установка поправки на суппорте распиловочного станка с учетом показаний рентгенгониометра. Определение режима резки, распиловки. Подготовка станка к работе. Установка режущего инструмента.

Должен знать: принцип действия обслуживаемого оборудования; назначение и условия применения универсальных и специальных приспособлений и контрольно-измерительных инструментов; назначение, правила применения, установки и углы режущего инструмента (алмазных пил); правила и способы охлаждения обрабатываемого материала; способы разметки ориентирования и резки кристаллов и гальки, заготовок и слитков полупроводниковых материалов; способы наладки распиловочного станка с учетом показаний рентгенгониометра; основные механические свойства обрабатываемого материала; основы технологии резания кристаллов.

Примеры работ

1. Кристаллы — опиловка по периметру.

2. Кристаллы или галька — ориентирование по плоскости базиса или пирамиды и распиловка на секции и блоки.

3. Кристаллы площадью до 100 кв. см — распиловка на затравочные пластины.

4. Кристаллы кварца — распиловка на x-секции с допуском 0,5 мм.

5. Пластины — опиловка дефектов (бортики, запилы, проколы).

6. Пластины затравочные площадью до 100 кв. см — распиловка на заготовки с допуском +/- от 1 до 0,5 мм.

7. Разметка x-секций на любые срезы.

8. Распиловка на пластины с допуском по углу среза +/- 6 мин.

9. Слитки кремния — резка на заготовки, притирка торцев слитка.

10. Слитки германия, кремния диаметром 30, 40 мм — резка на пластины, контроль толщины.

§ 78. Оператор прецизионной резки 3-го разряда

Характеристика работ. Прецизионная резка заготовок и слитков полупроводниковых материалов на пластины под заданным углом среза с допуском по толщине +/- 20 мкм. Резка и распиловка кристаллов, гальки, блоков пьезокварца, кварца, корунда и пластин из полупроводниковых материалов на распиловочных станках алмазной пилой с допуском +/- 5 мин. или на сложных станках ленточного и струнного типа С-95, полуавтоматах и ультразвуковой установке. Ориентация слитков полупроводниковых материалов на установках ориентации, расчет скорости подачи слитка, крепление слитков, заготовок. Смена износившегося инструмента и притирка его. Контроль геометрических параметров. Одновременная работа на двух станках резки.

Должен знать: устройство, систему управления и способы подналадки обслуживаемого оборудования, в т.ч. ультразвуковой установки для резки полупроводниковых материалов; устройство универсальных и специальных приспособлений, контрольно-измерительных инструментов; способы обработки полупроводниковых материалов и методы рационального раскроя их; основы кристаллографии (в т.ч. пьезокварца); основные свойства обрабатываемых материалов.

Примеры работ

1. Блоки пьезокварца — ориентирование для срезов БТ, КТ, ДТ, ЦТ и распиловка на пластины с допуском по толщине +/- 0,1 мм.

2. Блоки кварца — резка на пластины с различной кристаллографической ориентацией, с допуском по толщине +/- 0,1 мм.

3. Кристаллы или галька пьезокварца — ориентирование по плоскости с допуском +/- 5 мин. и распиловка на секции.

4. Кристаллы пьезокварца площадью свыше 100 кв. см — распиловка на затравочные пластины.

5. Кристаллы кварца, не имеющие естественной огранки, — нахождение оси и разметка.

6. Монокристаллы арсенида галлия — прецизионная резка на пластины с точной ориентацией.

7. Монокристаллы арсенида индия и антимонида индия — прецизионная резка с точной ориентацией.

8. Пластины кремния, германия — ультразвуковая резка на кристаллы.

9. Пластины кремния — наклеивание, отклеивание, калибрование с допуском +/- 0,5 мм, снятие базового среза.

10. Пластины с уникальной площадью — опиловка.

11. Пластины затравочные — разметка и резка на заготовки на подрезном станке.

12. Распиловка на пластины с допуском по углу среза +/- 6 мин. и по толщине +/- 0,1мм.

13. Слитки германия, кремния диаметром 60 мм — резка на пластины.

§ 79. Оператор прецизионной резки 4-го разряда

Характеристика работ. Прецизионная резка слитков, заготовок полупроводниковых материалов на полуавтоматах с точностью ориентации +/- 0,5 градуса. Распиловка и резка кристаллов и заготовок сложных геометрических форм с допуском +/- 0,05 — 0,15 мм, а также распиловка кристаллов, гальки, блоков и пластов точно по заданным углам среза, секций на пластины на станках различных конструкций и ультразвуковой установке с допуском по углу среза +/- 2 мин., при толщине заготовок до 1 мм с допуском +/- 0,1 мм. Распиловка кристаллов с уникальными площадями. Ориентирование по различным плоскостям и осям с разметкой. Наблюдение в процессе работы за исправностью станка или установки, их настройка и наладка. Набор и закрепление режущего инструмента. Установка приспособлений к ультразвуковым и электроискровым установкам. Смена износившегося режущего инструмента и приспособлений.

Должен знать: устройство оборудования различных моделей для прецизионной резки кристаллов; кинематику, электрическую схему, правила наладки и проверки на точность обслуживаемого оборудования; устройство, назначение и условия применения контрольно-измерительных инструментов; конструкцию универсальных и специальных приспособлений, геометрию и правила доводки специального режущего инструмента; систему допусков и посадок, квалитеты и параметры шероховатости; процесс распиловки кристаллов по заданным углам среза; технические условия резки и ломки полупроводниковых материалов.

Примеры работ

1. Блоки и кристаллы — ориентирование, распиловка на x-секции с допуском +/- 2 мин., резка на пластины с допуском +/- 1,5 мин.

2. Бруски лейкосапфира — резка на пластины толщиной 1 мм с точностью ориентации до 3 градусов.

3. Кристаллы или галька пьезокварца — ориентирование по плоскости с допуском +/- 2 мин. и распиловка на секции.

4. Кристаллы пьезокварца — ориентирование для срезов АТ, ЖТ, МТ, НТ и распиловка с допуском по толщине +/- 0,1 мм.

5. Кристаллы пьезокварца — распиловка на затравочные пластины уникальных площадей.

6. Кристаллы пьезокварца — распиловка на затравочные пластины площадью 150 кв. см и с допуском +/- 15 мин.

7. Лейкосапфир — резка на бруски с точностью ориентации до 3 градусов.

8. Платы лейкосапфира — обрезка в размер 32 x 22 мм; 22 x 26 мм.

9. Пластины кварцевые (пакет) — распиловка на 2 — 4 части.

10. Пластины кремниевые — ультразвуковое долбление лунок.

11. Слитки кремния диаметром 76 мм — ориентированная резка на пластины.

12. Полупроводниковые материалы — долбление глухих и сквозных отверстий.

13. Стеклоблоки стеклопленочных конденсаторов — ориентирование из плоскости и распиловка на секции.

§ 80. Оператор прецизионной резки 5-го разряда

Характеристика работ. Ориентированная прецизионная резка заготовок слитков полупроводниковых материалов на пластины, бруски на станках алмазной резки различных типов с разбросом по толщине +/- 10 мкм. Резка выводов полупроводниковых приборов из проволоки специальных сплавов диаметром 0,4 — 1,5 мм на полуавтоматах резки. Разброс по длине не более +/- 0,15 мм, угол среза торца не более 0,25 мм, заусенцы не более 0,03 мм, стрела прогиба не более 0,2 мм. Наблюдение в процессе работы за исправностью электрической и механической части станка, его настройка и наладка. Установка и настройка режущего инструмента (алмазный нож). Контроль качества натяжки диска. Подбор оптимальных режимов резки. Выявление в работе оборудования неполадок, порождающих брак. Смена износившихся алмазных дисков.

Должен знать: кинематику, электрические схемы и способы проверки на точность различных моделей оборудования, в т.ч. станков с электронным управлением; конструкцию обслуживаемого оборудования; правила определения режимов резания по справочникам и паспорту станка; правила настройки и регулировки контрольно-измерительных инструментов; способы крепления и выверки обрабатываемых изделий и режущего инструмента.

Примеры работ

1. Блоки пьезокварца — распиловка на элементы с допуском по углу среза +/- 3 мин. и с допуском по толщине +/- 0,1 мм на станках, оснащенных пилой с внутренней режущей кромкой.

2. Монокристаллы галий-гадолиниевого, неодим-галлиевого, кальций-германиевого граната — ориентированная резка на пластины.

3. Слитки кремния диаметром 100 мм — резка на пластины.

§ 81. Оператор прецизионной резки 6-го разряда

Характеристика работ. Ориентированная прецизионная резка заготовок и слитков полупроводниковых материалов диаметром свыше 100 мм на пластины на автоматизированном агрегате резки с программным управлением с разбросом по толщине +/- 10 мкм. Установка и настройка режущего инструмента, контроль за его исправностью. Регулировка агрегата и подналадка режущего инструмента в процессе работы. Составление и корректировка программ автоматической работы агрегата. Определение направления и величины ухода режущей кромки, правка режущего инструмента, снижение величины ухода режущей кромки.

Должен знать: конструкцию и основы работы оборудования с программным управлением; способы проверки и регулировки параметров работы обслуживаемого оборудования; методы контроля качества резки

Окрасчик приборов и деталей

Единый тарифно-квалификационный справочник работ и профессий рабочих (ЕТКС). Выпуск №20
Утвержден Постановлением Минтруда РФ от 21.01.2000 N 5
(в редакции Постановления Минтруда РФ от 12.09.2001 N 67)

Оператор прецизионной резки

§ 82. Оператор прецизионной фотолитографии 2-го разряда

Характеристика работ. Подготовка пластин кремния, заготовок масок, ситалловых, керамических, металлических и стеклянных пластин с маскирующим слоем перед нанесением светочувствительного покрытия (обезжиривание и декапирование, промывка, сушка). Нанесение и сушка светочувствительного покрытия; контроль качества выполненной работы (оценка клина проявления, неровности края, замеры линейных размеров с помощью микроскопа МИИ-4). Сушка заготовок в термостате. Удаление светочувствительного покрытия в случае необходимости. Формирование партии пластин для обработки на автоматизированном оборудовании. Разбраковка изделий по параметру неплоскостности, по внешнему виду, по номеру фотолитографии, по типономиналу. Химическая очистка и мытье посуды. Приготовление хромовой смеси.

Должен знать: наименование и назначение важнейших частей и принцип действия обслуживаемого оборудования (центрифуга, ванна, сушильный шкаф); назначение и условия применения специальных приспособлений и приборов для контроля процесса; основные свойства фоторезистов; назначение и работу микроскопов; состав и основные свойства светочувствительных эмульсий, правила хранения и использования их; основные химические свойства применяемых материалов.

Примеры работ

1. Детали листовые декоративные из меди и медных сплавов — изготовление методом фотохимического травления.

2. Заготовки масок — обезжиривание, декапирование, промывание, сушка, нанесение светочувствительного слоя.

3. Заготовки печатных плат — зачистка, декапирование, промывание, сушка.

4. Заготовки пластин, прокладки, изготовленные методом фотохимфрезерования — обезжиривание, сушка.

5. Маски, пластины, фотошаблоны — промывание, сушка, нанесение светочувствительного слоя, задубливание фотослоя.

6. Микросхемы интегральные гибридные типа «Посол» — сушка и полимеризация фоторезиста.

7. Микросхемы пленочные и металлизированные фотошаблоны — изготовление фотохимическим методом.

8. Пластины полупроводниковые и диэлектрические, ферриты — обезжиривание, декапирование, промывание, сушка.

9. Подложки ситалловые — снятие фоточувствительного слоя.

10. Стекла 700 x 700 x 3 — очистка и обработка ацетоном, полив вручную гравировальной жидкостью.

§ 83. Оператор прецизионной фотолитографии 3-го разряда

Характеристика работ. Проведение фотолитографических операций по совмещению элементов рисунка топологии схемы на пластине с соответствующими элементами на фотошаблоне с точностью +/- 5 мкм на установках совмещения и экспонирования. Экспонирование, проявление и задубливание фотослоя, а также травление различных материалов (окиси кремния, металлов и многокомпонентных стекол, включая многослойные структуры из различных металлов) по заданным в технологии режимам. Контроль качества травления. Термообработка, отмывка фотошаблонов в процессе их эксплуатации. Приготовление растворов для проявления, травления. Фильтрация фоторезиста. Снятие фоторезиста в кислотах, органических растворителях. Защита поверхности пластин пассивирующей пленкой. Контроль качества клина, проявления и травления на микроскопах. Измерение вязкости фоторезиста.

Должен знать: назначение, устройство, правила и способы подналадки оборудования, приспособлений и инструмента (микроскопов, ультрафиолетовой и инфракрасной ламп, термостата, контактных термометров и вискозиметров); режимы проявления фотослоев; технологические приемы травления различных материалов (окись кремния, металлы и др.); подбор времени экспонирования и травления; основные свойства фоточувствительных эмульсий и их компонентов.

Примеры работ

1. Заготовки масок, ферритовые металлизированные пластины — получение копии изображения схемы (экспонирование, проявление, дубление, окрашивание, промывание и т.д.).

2. Маски биметаллические — изготовление методом фотохимического травления.

3. Микросхемы интегральные гибридные типа «Посол» — нанесение фоторезиста; проявление изображения; удаление фоторезиста.

4. Микротрасформаторы планарные — проведение последовательного ряда фотохимических операций.

5. Пластины — нанесение фоторезиста; ретушь фоторезиста в соляной кислоте.

6. Пластины кремния — нанесение, сушка, совмещение некритичных фотогравировок; экспонирование, проявление, задубливание фотослоя.

7. Платы печатные и пластины, изготовляемые методом фотохимфрезерования — проявление и удаление фоторезиста.

8. Пленочные схемы СВЧ — проведение цикла фотолитографических операций.

9. Подложки ситалловые — травление, экспонирование.

§ 84. Оператор прецизионной фотолитографии 4-го разряда

Характеристика работ. Проведение всего цикла фотолитографических операций с разными материалами на одном образце с точностью совмещения +/- 2 мкм. Травление многослойных структур (AL-MO-AL) и сложных стекол (ФСС, БСС). Подбор и корректировка режимов нанесения, экспонирования, проявления, травления в зависимости от применяемых материалов в пределах технологической документации. Отмывка фотошаблонов, нанесение, сушка фоторезиста, проявление, задубливание, травление на автоматических линиях. Определение толщины фоторезиста и глубины протравленных элементов с помощью профилографа, профилометра. Определение адгезии фоторезиста и плотности проколов с помощью соответствующих приборов. Замер линейных размеров элементов под микроскопом. Совмещение маски и фотошаблона по реперным модулям и элементам. Определение процента дефектных модулей на фотошаблоне в процессе эксплуатации. Ретушь копии схемы с помощью микроскопа. Аттестация геометрических размеров элементов на маске и пластине кремния с помощью микроскопов с точностью +/- 3 мкм, на фотошаблоне — с точностью +/- 0,2 мкм. Проведение процесса двухсторонней фотолитографии. Определение неисправностей в работе установок и автоматического оборудования и принятие мер к их устранению.

Должен знать: устройство, правила наладки и проверки на точность поддержания технологических режимов всех установок автоматов, входящих в технологическую линию фотолитографии; правила настройки микроскопов; способы приготовления и корректирования проявляющих и других растворов; последовательность технологического процесса изготовления изделий (транзистора, твердой схемы); причины изменения размеров элементов, неровности краев, недостаточной их резкости и методы их устранения; фотохимический процесс проявления фоточувствительных эмульсий; способы определения дефектов на эталонных и рабочих фотошаблонах; основы электротехники, оптики и фотохимии.

Примеры работ

1. Диоды, ВЧ-транзисторы, фотошаблоны с размерами элементов более или равными 10 мкм — проведение всего цикла фотолитографических операций.

2. Заготовки масок — электрохимическое никелирование.

3. Микротранзисторы и твердые схемы — проведение полного цикла фотохимических операций при изготовлении.

4. Микросхемы интегральные гибридные типа «Посол» — проведение процессов экспонирования с предварительным совмещением, травление.

5. Микросхемы — проведение полного цикла фотохимических операций при изготовлении.

6. Пластина — проведение полного цикла фотолитографических операций, защита фоторезистом; непланарная сторона пластины — защита.

7. Пластины, фотошаблоны после фотолитографии — контроль качества поверхности под микроскопом МБС.

8. Пластины ИС с размерами элементов более 10 мкм — контроль качества проявления, травления.

9. Платы печатные, микросхемы СВЧ — травление.

10. Подложки, подложки ситалловые, микросхемы СВЧ — нанесение фоторезиста с помощью центрифуги с контролем оборотов по графику; определение толщины слоя фоторезиста.

11. Поликремний — проведение полного цикла фотолитографии.

12. Проведение процесса фотолитографии для получения рельефа из напыленных металлов: ванадий + молибден + алюминий с предварительным совмещением заданной точности.

13. Проекционная фотолитография — подбор экспозиции и резкости на установках проекционной фотолитографии.

14. Сетки мелкоструктурные — изготовление методом фотолитографии.

15. Сетки молибденовые и вольфрамовые — травление.

16. Теневая маска для цветных кинескопов — контроль качества отверстий и поверхности под микроскопом; исправление дефектов под микроскопом.

17. Фотошаблоны эталонные — изготовление.

18. Фотошаблоны — контроль качества поверхности под микроскопом МБС или МБИ-11; контроль размеров на соответствие с паспортными данными под микроскопом МИИ-4.

§ 85. Оператор прецизионной фотолитографии 5-го разряда

Характеристика работ. Проведение фотолитографических операций по изготовлению: теневых масок со сложной конфигурацией и ассиметричным расположением отверстий; совмещенных микросхем, состоящих из полупроводниковой активной подложки с напыленными пленочными элементами; выводных рам для интегральных схем, трафаретов и других узлов и деталей, требующих прецизионной обработки. Проведение фотолитографических операций на многослойных структурах с размерами элементов менее 1 мкм с точностью совмещения +/- 1 мкм. Выбор и корректировка оптимальных режимов проведения фотолитографических процессов в зависимости от типа подложки, применяемых материалов и результатов выполнения технологических операций, с которых поступает данное изделие. Работа на установке совмещения с точностью совмещения +/- 2 мкм. Обслуживание установки совмещения; контроль освещенности рабочей поверхности, зазоров и давления. Определение величины рассовмещения комплекта эталонных и рабочих фотошаблонов, определение оптической плотности фотошаблонов на микроинтерферометре и микрофотометре, определение оптической прозрачности теневых масок на денситометре с точностью до 2 мкм. Оценка качества фотолитографии (качества травления, величины рассовмещения, неравномерности края, контроль соответствия топологии на пластине конструкторской документации). Нанесение светочувствительных эмульсий и проведение процесса фотоэкспонирования для получения заготовок маски и растворов цветного кинескопа.

Должен знать: конструкцию, механическую, электрическую и оптическую схемы установок совмещения различных моделей; правила определения режимов процесса прецизионной фотолитографии для изготовления твердых и совмещенных микросхем; правила настройки и регулирования контрольно-измерительных приборов; принцип действия и правила работы на установке сравнения фотошаблонов, микроинтерферометре, микрофотометре, денситометре; способы крепления и выверки пластин для многократного совмещения; основы физико-химических процессов фотолитографического получения микросхем.

Примеры работ

1. Магнитные интегральные схемы — проведение полного цикла фотолитографических операций.

2. Маски теневые и совмещенные микросхемы — проведение полного цикла фотолитографических операций с самостоятельной корректировкой режимов работы.

3. Пластины БИС, ВЧ (СВЧ) транзисторов с размерами элементов менее 10 мкм — проведение всего цикла фотолитографических операций.

4. Пластины, изготавливаемые методом химфрезерования, — вытравливание контура с контролем процесса травления под микроскопом; контроль готовых пластин.

5. Платы печатные и пластины, изготавливаемые методом химфрезерования — нанесение фоторезиста на заготовку с определением равномерности покрытия по толщине; экспонирование с предварительным совмещением фотошаблона.

6. Транзистор, диоды — совмещение с точностью от 2 мкм и более.

7. Фоторезист — фильтрация через специальные приспособления.

8. Фотошаблоны — контроль качества под микроскопом с разбраковкой по 5 — 10 параметрам; изготовление на фотоповторителях.

9. Фотошаблоны рабочие и эталонные — определение рассовмещения комплекта на установке сравнения фотошаблонов.

10. Фотошаблоны эталонные — подготовка к контактной печати.

§ 86. Оператор прецизионной фотолитографии 6-го разряда

Характеристика работ. Проведение всего цикла фотолитографических операций по изготовлению микросхем и пластин различных типов с размерами элементов менее 5 мкм и точностью совмещения +/- 0,5 мкм. Обслуживание всех видов установок совмещения, применяемых в прецизионной фотолитографии. Контроль качества проявленного и травленного рельефа, работа со всеми видами фоторезисторов (негативным и позитивным) с применением любых типов ламп ультрафиолетового свечения; самостоятельный подбор и корректировка режимов работы. Выявление и устранение причин, вызывающих низкое качество фотошаблонов в процессе их изготовления. Аттестация геометрических размеров элементов на маске с помощью микроскопов с точностью +/- 1 мкм. Изготовление сложных фотокопий масок и растров на пластинках из металла марки МП95-9 и стекла путем негативного и позитивного копирования с точностью совмещения оригиналов до 1 — 2 мкм.

Должен знать: конструкцию, способы и правила проверки на точность оборудования прецизионной фотолитографии различных типов; химические и физические свойства реагентов и материалов, применяемых в работе; методы определения последовательности и режимов фотолитографических процессов для микросхем, дискретных приборов различной сложности; расчеты, связанные с выбором оптимальных режимов ведения процесса прецизионной фотолитографии; методы определения пленок на интерферометрах.

Требуется среднее профессиональное образование.

Примеры работ

1. Микротранзисторы и твердые схемы — проведение полного цикла фотохимических операций при изготовлении.

2. Пластины БИС, СБИС, транзисторов, СВЧ-транзисторов с размерами элементов менее 5 мкм — контроль после задубливания, травления, фотолитографии; классификация по видам брака.

3. Фотошаблоны образцовые прецизионные — изготовление опытных партий.

4. Фотошаблоны эталонные — определение пригодности изготовленного комплекта для производства рабочих копий.

§ 87. Оператор прецизионной фотолитографии 7-го разряда

Характеристика работ. Проведение полного цикла фотолитографического процесса по изготовлению сверхбольших интегральных схем (СБИС) с размерами элементов 2 мкм, точностью совмещения +/- 0,15 мкм и размером рабочего модуля 10 x 10 мм. Обслуживание установок совмещения и мультипликации всех типов, установок нанесения и сушки, проявления и задубливания фоторезиста на линии типа Лада-150 с программным управлением. Ввод коррекции на совмещение слоев, оценка значения масштаба и разворота на проекционной печати, качества совмещения внутри модуля и по полю пластины. Ввод рабочих программ для обеспечения автоматического режима работы оборудования. Определение дефектности фоторезиста и локализация узла оборудования, генерирующего дефекты. Измерение линейных размеров на автоматическом измерителе типа «Zeltz». Входной контроль металлизированного промежуточного оригинала (МПО), подготовка его к работе, сборка и выдача в работу с двухсторонней защитой пелликлом.

Должен знать: конструкцию и принцип работы фотолитографического оборудования с программным управлением; правила пользования автоматической системой управления движением пластин; методы корректировки технологических режимов формирования фоторезистивных покрытий по результатам контроля основных характеристик фоторезиста и лака.

Требуется среднее профессиональное образование.

Примеры работ

1. Металлизированные промежуточные оригиналы (МПО) — изготовление пробных отсъемов; контроль совмещаемости слоев.

2. Пластины СБИС с размером элементов 2 мкм — проведение полного технологического цикла фотолитографических операций и контроль качества выполнения их перед проведением плазмохимических процессов.

3. Рамка контактная — проведение полного цикла фотолитографических операций.

4. Шаблоны пленочные с допуском несовмещения 15 мкм — проведение полного технологического цикла фотолитографических операций.

Оператор прецизионной резки